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Gruppo di ricerca e sviluppo

Per condurre ricerche e sviluppi approfonditi sull'analisi dei difetti dei materiali Si, abbiamo creato il nostro centro di ricerca e sviluppo.

Produzione

Quasi tutti i range della resistenza e del drogante dei wafer 2"- 12"si

Qualità

Ogni pezzo di wafer o substrato è stato ispezionato prima della spedizione. Vengono forniti report COA e certificati del pacchetto.

Altri wafer

Wafer GaAs, wafer Inp e wafer al germanio e altri materiali ottici a prezzi competitivi.

About us
8Anni diEsperienza

Shanghai Ruyuan Elettronica Materiali Co., Ltd.

Shanghai Ruyuan Electronic Materials Co., Ltd. è stata registrata e fondata nell'agosto 2016. Shanghai Ruyuan è il produttore e fornitore professionale di materiali semiconduttori con sede nella zona industriale concentrata di silicio, nella città di Shanghai

  • La nostra fabbrica specializzata in lingotti di silicio e wafer di silicio ha iniziato con dimensioni piccole come 3", 4" e 6".
  • Con lo sviluppo della tecnologia, ora potremmo realizzare tutte le dimensioni da 2" a 12 pollici, di prima qualità e di prova.
Per saperne di più
vendita calda
Prodotti caldi
Wafer di silicio da 2 pollici (50,8 mm)
Wafer di silicio da 2 pollici (50,8 mm)

Spessore(μm):280 ± 25 o secondo le richieste dei nostri clienti
Resistenza: maggiore o uguale a...

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Wafer di silicio da 3 pollici (76,2 mm)
Wafer di silicio da 3 pollici (76,2 mm)

Orientamento:<111>/<100>/<110>
Spessore(μm):280 ± 25 o secondo le richieste dei nostri clienti
Resistenza:...

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Wafer di silicio da 4 pollici (100 mm)
Wafer di silicio da 4 pollici (100 mm)

Grado:Prime/grado Test/grado Test
Crescita:CZ/FZ
Superficie: finitura lato anteriore lucido, lato posteriore...

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Wafer di silicio da 5 pollici (125 mm)
Wafer di silicio da 5 pollici (125 mm)

Diametro: 125 mm
Tipo P e tipo N, orientamento:<110>/<111>/<100>
Resistenza: basata sulle richieste dei nostri...

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Wafer di silicio da 6 pollici (150 mm)
Wafer di silicio da 6 pollici (150 mm)

Particelle:(Maggiore o uguale a 0.2um): massimo 20ea
TTV: inferiore o uguale a 5um
ARCO E DEFORMAZIONE:...

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Wafer di silicio da 8 pollici (200 mm)
Wafer di silicio da 8 pollici (200 mm)

La superficie può essere lucidata su uno o entrambi i lati oppure può essere lasciata come una fetta di filo...

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Wafer di silicio da 12 pollici (300 mm)
Wafer di silicio da 12 pollici (300 mm)

Grado Prime o grado di prova o grado fittizio.
Lucido su un lato o su entrambi i lati o la superficie proprio...

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Wafer di silicio lappato da 76 mm-300mm(3"-12")
Wafer di silicio lappato da 76 mm-300mm(3"-12")

La resistenza iniziale del lingotto superiore potrebbe essere stata 1,5 volte quella della coda. Puoi volere un...

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Certificato
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15+

Paese di vendita

20+

Distributore internazionale

100+

Clienti felici

+8615201856967

Shanghai Ruyuan Electronic Materials Co., Ltd. è un produttore professionista di lingotti di silicio e wafer di silicio con il proprio team di ricerca e sviluppo.

Contattaci

Con lo sviluppo della tecnologia e l'aggiornamento delle macchine

Possiamo fornire wafer di silicio premium o test premium o test 2- {2}}} pollici.

PROCESSO

Il nostro processo di lavoro

  • 1
    Select a project

    Revisione delle specifiche

    Il reparto di produzione esamina attentamente e rigorosamente le specifiche fornite dal nostro cliente.

  • 2
    Project Analysis

    Valutazione dei costi

    Risposta rapida sul preventivo e sui tempi di consegna.

  • 3
    Deliver Sample

    Produzione del prodotto

    Inseriremo i wafer nel nostro programma di produzione quando riceveremo il tuo ordine.

  • 4
    Order comform

    Ispezione

    I moderni strumenti e procedure di test rappresentano una garanzia cruciale per la creazione di beni altamente accurati.

Le nostre categorie

Vari materiali cristallini

case 01

Wafer di silicio

Il prezzo è abbastanza competitivo, la qualità è eccellente e il tempo di consegna è di sole tre settimane.

case 02

Ge Wafer

Il wafer di germanio è un importante materiale di substrato semiconduttore con eccellenti caratteristiche prestazionali, tra cui la mobilità degli elettroni e la mobilità delle lacune.

case 03

Semiconduttori composti

I singoli cristalli di InAs possono servire come substrati per la crescita di strutture superreticolari InAsSb/nAsPSb, InNAsSb, eterogiunzione e InAs/GaSb.

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